GaN/氮化鎵 - MGZ31N65
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650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
非常低的QRR
減少交叉損失
符合RoHS標準和無鹵素要求的包裝
產(chǎn)品介紹
GaN，中文名：氮化鎵，常溫常壓下是纖鋅礦結構。是現(xiàn)今半導體照明中藍光發(fā)光二極管的核心材料。工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設備來外延生長。
GaN半導體材料有二種基本結構:纖鋅礦(Wurtzite, WZ)和閃鋅礦(Zinc blende, ZB)。常溫常壓下惟有纖鋅礦結構為穩(wěn)定相。纖鋅礦結構由兩套六角密堆積子格子沿c軸方向平移3c/8 套構而形成，所屬空間群為或P63mc。
一、GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的特性：
650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
非常低的QRR
減少交叉損失
符合RoHS標準和無鹵素要求的包裝
二、GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的應用：
電源適配器
低功耗SMPS
照明設備
ISweek 工采網(wǎng)的所有產(chǎn)品均來自于原始生產(chǎn)廠商直接供貨，非第三方轉(zhuǎn)售。
