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Infared materials 瓦冷卻光敏紅外探測(cè)器 - Pbse3

  • Infared materials 瓦冷卻光敏紅外探測(cè)器
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在1–5.5um波段響應(yīng)迅速、靈敏度超高

產(chǎn)品型號(hào):
Pbse3
PDF:
訂貨數(shù)量:

產(chǎn)品介紹

Infared materials 瓦冷卻光敏紅外探測(cè)器 描述:

在1–5.5um波段響應(yīng)迅速、靈敏度超高的TE冷卻紅外探測(cè)器


Infared materials 瓦冷卻光敏紅外探測(cè)器 參數(shù):

環(huán)境溫度:

+25°C

探測(cè)器工作溫度

見(jiàn)以下型號(hào)

處于或接近較大冷卻時(shí)的冷卻器的典型功率

1.8 volts @ 1.2 amps

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格— —  電氣

所有探測(cè)器規(guī)格均說(shuō)明,探測(cè)器中電極之間均為偏壓35 V/mm的距離,并由一個(gè)1兆歐的負(fù)載電阻串聯(lián)。 散熱器在+25°C,處于或接近較大冷卻時(shí),所有規(guī)格均適用。


 

 

較小

典型

較大

單位

響應(yīng)較大的波長(zhǎng)

4.3

4.5

 

μm

D*(λpk, 630 Hz, 1 Hz)

2.0 x 10 10  

3.5 x 10 10

 

ccm Hz 1/2 w -1

元件電阻(Dark)

1.0  

6.0

20.0  

MegOhm

時(shí)間常數(shù)(非一般測(cè)量)

 

9

20

μsec

額定元件溫度

 

 

+85

°C

處于或接近較大冷卻時(shí)的時(shí)間差

 

見(jiàn)下文

 

°C


Infared materials 瓦冷卻光敏紅外探測(cè)器選型:

使用下表時(shí),去掉插入語(yǔ),在空格處插入適當(dāng)包裝類型的名稱。例:6for TO-66, 8 for TO-8

型號(hào)

元件尺寸(mm)

響應(yīng)(l pk , 630) v/w

工作溫度

標(biāo)準(zhǔn)包裝選項(xiàng)

較小

典型值

B1-( )C4T

1 x 1

126,000   

 190,000

-50°C

TO-66, TO-8

B2-( )C4T

2 x 2

63,000

95,000

-50°C

TO-66, TO-8

B3-( )C4T  

3 x 3

38,000

56,000

-45°C

TO-66, TO-8

B6-( )C2T  

6 x 6

18,000

27,000

-25°C

TO-66, TO-8

Minimum D*(l pk , 1050, 1) >1.5 x 10 10 cm Hz 1/2 w -1

要為所有TE冷卻探測(cè)器指定熱敏電阻選項(xiàng),請(qǐng)將后綴-T或-TC (calibrated)加到型號(hào)上。


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